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Accord entre ZF et STMicroelectronics pour fournir des dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium

À partir de 2025, ZF, équipementier mondial leader, achètera des dispositifs en carbure de silicium à STMicroelectronics (NYSE : STM), un leader mondial de semi-conducteurs pour tous types d’applications électroniques.
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Exemple de plaquette de carbure de silicium de 8 pouces de STMicroelectronics. ZF utilisera les puces des dispositifs fabriqués par ST dans sa future plateforme d'onduleurs.

ZF a signé le 18 avril dernier un accord avec un fournisseur de premier plan pour la technologie du carbure de silicium afin de répondre de manière fiable à des commandes d’électromobilité, d’une valeur de plus de 30 milliards d’euros. Selon les termes de ce contrat pluriannuel, ST fournira un volume de plusieurs millions de composants en carbure de silicium qui seront intégrés dans la nouvelle architecture d’onduleurs modulaires de ZF, dont la production en série débutera en 2025. ZF s’appuiera sur l’intégration verticale de la production de carbure de silicium de ST en Europe et en Asie pour répondre aux commandes de ses clients dans le domaine de l’électromobilité.

« Avec cette étape stratégique majeure, nous renforçons notre chaîne d’approvisionnement afin d’être en mesure de fournir nos clients en toute sécurité. Notre carnet de commandes dans le domaine de l’électromobilité jusqu’en 2030 s’élève aujourd’hui à plus de 30 milliards d’euros. Pour ce volume, nous avons besoin de plusieurs fournisseurs fiables pour les semi-conducteurs en carbure de silicium », précise Stephan von Schuckmann, Membre du directoire ZF en charge de l’électromobilité et de la gestion des matériaux. « Avec STMicroelectronics, nous disposons désormais d’un fournisseur dont l’expérience en matière de systèmes complexes répond à nos exigences et qui, surtout, peut produire les dispositifs dans une qualité exceptionnelle et dans les quantités requises ».

Cet accord permet à ZF de s’adjoindre un fournisseur international de premier plan en matière de technologie du carbure de silicium. Cet accord vient compléter un autre accord de partenariat dans le domaine de la technologie du carbure de silicium, annoncé en février dernier.

ST fabriquera ainsi les puces en carbure de silicium dans ses usines de production en Italie et à Singapour, puis les conditionnera en STPAK, un boîtier avancé, et les testera dans ses installations « back-end » au Maroc et en Chine.

Connecter un nombre variable de ces dispositifs pour répondre aux exigences de performance des clients

À partir de 2025, ST fournira à ZF des millions de dispositifs de type Mosfet en carbure de silicium de troisième génération. ZF peut connecter un nombre variable de ces dispositifs pour répondre aux exigences de performance des clients sans modifier la conception de l’onduleur. ZF utilisera notamment cette technologie dans les onduleurs des véhicules d’un constructeur automobile européen dont le début de la production est prévu pour 2025.

L’onduleur est le cerveau des transmissions électriques. Il gère le flux d’énergie entre la batterie et le moteur électrique et vice versa. Les onduleurs sont devenus plus efficaces et plus complexes à chaque étape du développement. La combinaison de la conception de l’onduleur et des semi-conducteurs, comme le carbure de silicium, est la clé de l’amélioration des performances des véhicules électriques. Les dispositifs en carbure de silicium réduisent considérablement les pertes de puissance dans les onduleurs des voitures électriques, ainsi que dans les onduleurs des éoliennes et des systèmes photovoltaïques.

Les dispositifs en carbure de silicium présentent des avantages décisifs par rapport aux produits conventionnels à base de silicium, tels qu’une efficacité, une densité de puissance et une fiabilité accrues. Parallèlement, ils permettent de concevoir des systèmes plus petits et plus rentables. En d’autres termes, un véhicule électrique se recharge plus rapidement, a plus d’autonomie et dispose de plus d’espace lorsqu’il est équipé de semi-conducteurs à base de carbure de silicium.

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